FDB050AN06A0
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FDB050AN06A0 |
---|---|
Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $2.64 |
10+ | $2.374 |
100+ | $1.9078 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 80A, 10V |
Verlustleistung (max) | 245W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3900 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18A (Ta), 80A (Tc) |
Grundproduktnummer | FDB050 |
FDB050AN06A0 Einzelheiten PDF [English] | FDB050AN06A0 PDF - EN.pdf |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDB045AN08AO FAIRCHI
MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
FAIRCHILD TO263
FAIRCHI TO-263
MOSFET N-CH 150V 130A
FAIRCHILD TO-263
FDB045AN08_F085 FAIRCHILD
FDB045AN08A0_NL Fairchi
FAIRCHILD TO263
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
MOSFET N-CH 75V 80A TO-263AB
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK
FDB050AN06AO FAIRCHI
FDB060AN08AO FAIRCHI
2024/11/4
2024/08/25
2024/04/23
2024/04/13
FDB050AN06A0onsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|